免费看黄国产精品_日韩在线午夜福利_在线观看日本免费亚洲_亚洲av人无码综合在线观看_日韩无码人妻免费手机_蜜桃视频 成人版在线观看d_在线观看AV麻豆_国产欧美日韩一二三_日本电影中文字幕久久_动漫卡通第1页亚洲

2013
05-27

晶閘管系列模塊產(chǎn)品現(xiàn)場使用技術(shù)解答

  (一)交流模塊的調(diào)壓功能與變壓器有何不同?   變壓器可使負(fù)載與電網(wǎng)隔離,按設(shè)定好的變壓比進(jìn)行等功率傳送;交流模塊不與電網(wǎng)隔離,只對電網(wǎng)電壓進(jìn)行調(diào)壓,其傳送功率受電流限制,隨電壓的降低而減少。   (二)模塊抗干擾能力如何?   該模塊適應(yīng)于電網(wǎng)波形的大幅畸變,在主電路大電流工作時(shí)也能正常工作,且移相觸發(fā)控制系統(tǒng)不干擾與之相連的計(jì)算機(jī)或其他控制儀表,抗干擾能力強(qiáng)。   (三)模塊有何質(zhì)量保證?   產(chǎn)品嚴(yán)格按企業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),質(zhì)量等級進(jìn)行生產(chǎn),如屬供方產(chǎn)品本身質(zhì)量問題,供方在售出一年內(nèi)包換。   (四)模塊在工作時(shí)會不會產(chǎn)生諧波?   模塊在工作時(shí)產(chǎn)生的諧波與傳統(tǒng)的晶閘管電路相同,會對電網(wǎng)造成影響,但目前據(jù)用戶的使用反饋情況來看,對電網(wǎng)造成的影響較小??梢赃@樣舉例來說明這個(gè)問題:模塊所控制的輸出功率與電網(wǎng)電源變壓器的功率比值是一個(gè)界定影響大小的依據(jù),電網(wǎng)電源變壓器容量比較大,可以供給較大的電流,而模塊的輸出功率相對變壓器的功率來說比較小,其影響就可以忽略不計(jì);反之,模塊控制的輸出功率相對于變壓器功率來說比較大,則影響就比較大。影響大的時(shí)候可以用電力電容器吸收,必要時(shí)可采用LC吸收。   (五)模塊在手動(dòng)控制時(shí),對所用電位器有何要求?   電位器的功率≥0.5W,阻值范圍從5.1—100K均可。   (六)模塊的散熱應(yīng)注意些什么?   模塊芯片結(jié)溫不能超過125度,當(dāng)模塊工作穩(wěn)定時(shí),散熱器溫度勿超過80度(即模塊的殼溫),否則燒壞模塊。   (七)當(dāng)用戶測試模塊輸出不正常時(shí),自行考慮哪幾方面?   1)模塊是否帶負(fù)載測試。   2)12V電源是否符合模塊工作要求。   3)如果是微機(jī)或儀表控制,看控制端是否有放電回路,因2、3腳有一電容可能存貯電荷,使未加信號時(shí)導(dǎo)通,需在2、3腳間接一個(gè)500K電阻。   4)若用戶測試不平衡,首先看其負(fù)載是否平衡,測試時(shí)數(shù)字表紅、黑表筆是否應(yīng)AB、BC、CA相。   5)接線是否正確,尤其單相交流模塊,兩邊對應(yīng)要加零線。   6)若用戶帶感性、容性負(fù)載或負(fù)載不確定的情況下,模塊工作不正常,建議用戶在純阻性負(fù)載下測試。   7)對于控制信號不確定的情況下,選用電位器調(diào)節(jié)來檢查模塊是否正常。

2013
05-27

智能晶閘管模塊在電氣控制中的應(yīng)用

  一、前言   晶閘管自1957年問世以來,隨看半導(dǎo)體技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)不斷發(fā)展,它在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮越來越大的作用。過去,人們在使用晶閘管各種電氣控制中只能用分立器件做成裝置,由于電路復(fù)雜、體積大,安裝調(diào)試麻煩,可靠性也較差,應(yīng)用受到很大限制。淄博市臨淄銀河高技術(shù)開發(fā)有限公司開發(fā)生產(chǎn)的晶閘管智能模塊ITPM(Intelli9ent Thyristor PowerModule),根本上解決了上述困難,使晶閘管的應(yīng)用得以迅速擴(kuò)大。   所謂ITPM就是將晶閘管主電路與移相觸發(fā)電路以及具有控制功能的電路封裝在同一外殼內(nèi)的新型模塊。最新ITPM的移相觸發(fā)電路為全數(shù)字電路,功能電路由單片機(jī)完成,并且內(nèi)置有多路電流、電壓、溫度傳感器,通過模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤,進(jìn)行各種功能和電氣參數(shù)設(shè)定,開可進(jìn)行LED或LCD顯示。模塊的每支芯片的電流已達(dá)1000A/電壓1600V~2200V,該模塊實(shí)際上已是一個(gè)準(zhǔn)電力電子裝置,不論在體積、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面與傳統(tǒng)裝置卻有很大優(yōu)勢,安裝、使用特別方便。毫無疑問,有了這種裝置模塊化的技術(shù)和產(chǎn)品,今后將會使配電系統(tǒng)內(nèi)的各種電氣控制發(fā)生重大變化。   二、ITPM的應(yīng)用范圍   較為完整的ITPM一般由電力晶閘管、移相觸發(fā)器、軟件控制的單片機(jī)、電流、電壓、溫度傳感器以及操作鍵盤、LED或LCD顯示等部分組成。如圖1所示: 圖 1 圖 2由單個(gè)ITPM組成的傳速、電流雙閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)   可以看出,除去因受電力晶閘管容量的限制外,這樣的ITPM已不是一般傳統(tǒng)晶閘管裝置所能比擬的。它有相當(dāng)高的智能水平和適應(yīng)性。因此,它在配電系統(tǒng)內(nèi)的電氣控制中有著廣泛應(yīng)用。   柔性交流輸電FaCTS(F1esible ac Transmission System)在配電系統(tǒng)用ITPM取代分立半導(dǎo)體輸電開關(guān)、半導(dǎo)體限流器、半導(dǎo)體斷路器、靜止無功補(bǔ)償器、動(dòng)態(tài)電壓復(fù)位器、靜止補(bǔ)償器以及有源濾波器,更能方便和滿足用戶規(guī)定等級的電力。   在交、直流電機(jī)調(diào)速方面,單塊ITPM可以成為一臺不可逆雙閉環(huán)直流調(diào)速器,兩個(gè)ITPM可以組成可逆四相限運(yùn)行的調(diào)速器。如圖2所示:   ITPM用在交流異步串級調(diào)速、降壓調(diào)速。用六個(gè)ITPM非常方便地組成的交流變頻系統(tǒng),如圖3-1、 圖3-2所示: 圖 3-1雙閉環(huán)控制的串級調(diào)速系統(tǒng) 圖 3-2雙閉環(huán)控制的串級調(diào)速系統(tǒng)可獲得較大功率低頻變頻電源。   在電源和控制方面有廣泛應(yīng)用,如加速器穩(wěn)壓電源,如圖4所示: 圖 4 加速器穩(wěn)壓電源 圖 5 節(jié)能運(yùn)行控制器   軟啟動(dòng)器、節(jié)能運(yùn)行控制器應(yīng)用如圖5所示:   固態(tài)接觸器、繼電器、工業(yè)電熱控溫、各種半各體專用設(shè)備精密控溫、中、高頻熱處理電源、電焊設(shè)備(整流焊機(jī)、二次整流焊機(jī)、逆變焊機(jī))激光電源、勵(lì)磁電源、電鍍、電解電源、機(jī)械電子設(shè)備電源、城市無軌、電動(dòng)牽引、港口輪船起貨機(jī)、風(fēng)機(jī)、水泵、軌機(jī)、龍門刨、大吊車驅(qū)動(dòng)、超低頻鋼水、攪拌電源、造紙、紡織。城市供水、污水處理等,可以說在配電系統(tǒng)內(nèi)的電氣控制ITPM都有作為。   三、ITPM的應(yīng)用意義   ITPM是電力電子產(chǎn)品數(shù)字化、智能化、模塊化的集中體現(xiàn),高度展示了現(xiàn)代電力電子技術(shù)在電氣控制中的作用。ITPM不僅可以用在較為復(fù)雜的控制場合,更多的用在一般開關(guān)控制場合是它的一大優(yōu)勢,由于其高開關(guān)速度和無弧關(guān)斷等優(yōu)良特點(diǎn),這將會使控制的質(zhì)量和性能大為改善。廣泛和大量的應(yīng)用ITPM令節(jié)省很多的金屬材料,并使其控制系統(tǒng)的體積大大減少,還可使非常復(fù)雜的多個(gè)電氣控制系統(tǒng)變的非常簡單。用計(jì)算機(jī)集中控制,實(shí)現(xiàn)信息化管理,且運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用很低。ITPM節(jié)能效果非常明顯,這對環(huán)保很有意義。   四、結(jié)束語   臨淄銀河高技術(shù)開發(fā)有限公司開發(fā)生產(chǎn)的系列ITPM,以其優(yōu)越的性能故大量采用,已且示出明顯的社會效果和經(jīng)濟(jì)效益,是傳統(tǒng)晶閘裝置的替代產(chǎn)品。有著廣泛的應(yīng)用和廣闊的市場,是十分理想的新一代電氣控制產(chǎn)品。隨著ITPM低成本和大規(guī)模進(jìn)入市場,將會使傳統(tǒng)的電氣控制產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)生巨大變化,進(jìn)入新的電力電子的電氣控制時(shí)代。

2013
05-27

智能電機(jī)控制模塊的功能及其應(yīng)用

  一、 概述   眾所周知,三相交流異步電動(dòng)機(jī)以其低成本,高可靠性和易維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)在各行業(yè)中廣泛應(yīng)用。但是,它在直接起動(dòng)時(shí),存在著很大的缺點(diǎn):首先,它的起動(dòng)電流高達(dá)額定電流的5-7倍,這需要電網(wǎng)有很大的裕量,而且降低了電器控制設(shè)備的使用壽命,増加維護(hù)成本,甚至影響了其它電氣設(shè)備的正常運(yùn)行;其次,起動(dòng)轉(zhuǎn)矩可達(dá)正常轉(zhuǎn)矩的2倍,這會對負(fù)載產(chǎn)生沖擊,增加傳動(dòng)部件的磨擦和額外維護(hù)。因?yàn)橐陨显?,出現(xiàn)了三相異步電動(dòng)機(jī)降壓起動(dòng)設(shè)備。   傳統(tǒng)的降壓起動(dòng)有以下幾種方法:   1、在電動(dòng)機(jī)定子回路中串入電抗器,使一部分電壓降在電抗器上;   2、星形-三角形轉(zhuǎn)換降壓起動(dòng)(Y -△)。 電機(jī)起動(dòng)時(shí)接成星形,起動(dòng)結(jié)束后,通過一個(gè)轉(zhuǎn)換器變成三角形接法;   3、起動(dòng)補(bǔ)償器起動(dòng)(自藕變壓器起動(dòng))。   傳統(tǒng)的起動(dòng)設(shè)備體積龐大,成本高,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,與負(fù)載匹配的電機(jī)轉(zhuǎn)距很難控制,也就是說很難得到合適的起動(dòng)電流和起動(dòng)轉(zhuǎn)距;而且在切換瞬間會產(chǎn)生很高的電流尖峰,由此產(chǎn)生的機(jī)械振動(dòng)會損害電機(jī)轉(zhuǎn)子,軸連接器,中間齒輪,以及負(fù)載。   因此,就需要有一種能克服傳統(tǒng)起動(dòng)缺點(diǎn)的起動(dòng)裝置。“智能電機(jī)控制模塊”,采用數(shù)碼管顯示,按鍵控制,整個(gè)起動(dòng)過程全部由單片機(jī)控制自動(dòng)完成。用戶通過按鍵調(diào)整參數(shù)設(shè)置,可以按需要選擇不同的起動(dòng)方式,能夠很方便地控制起動(dòng)電流,得到與負(fù)載相匹配的電機(jī)轉(zhuǎn)矩。   二、系統(tǒng)構(gòu)成   如圖1,整個(gè)系統(tǒng)由主電路,移相調(diào)控,同步檢測,電壓電流反饋,單片機(jī)控制,顯示與按鍵六部分組成。其中,顯示與按鍵為一部分,組成一塊控制板。其它五部分全部集成在模塊內(nèi)部。通過一條15芯的并行線與控制板連結(jié)起來。 圖1 圖2   三、各主要功能介紹   電機(jī)軟起動(dòng)控制模塊主要能夠完成以下功能:   1、電壓斜坡起動(dòng)   2、限流起動(dòng)   3、軟停車   4、節(jié)能運(yùn)行   5、過流、過熱、缺相保護(hù)   現(xiàn)在分別介紹一下   1、電壓斜坡起動(dòng)   如圖2,系統(tǒng)首先加一個(gè)電壓Us到電機(jī)上,用于克服靜摩擦轉(zhuǎn)矩之后,電壓線性上升,從Us增 加到最大電壓Umax。此時(shí),加到電動(dòng)機(jī)端子上的電壓等于電網(wǎng)輸入電壓。 Us由用戶設(shè)定,可供用戶選 擇的電壓為80V-300V。Ts由用戶設(shè)定,可以在1-90秒中選擇。   這種起動(dòng)方式的特點(diǎn)是起動(dòng)平穩(wěn),可減少起動(dòng)電流對電網(wǎng)的沖擊,同時(shí)大大減輕起動(dòng)力矩對負(fù)載帶來的機(jī)械振動(dòng)。   2、限流起動(dòng)   如圖3,這種起動(dòng)方式是由用戶設(shè)定一電流值Ik,在整個(gè)起動(dòng)過程中,實(shí)際電流不超過設(shè)定值Ik。Ik由用戶根據(jù)實(shí)際負(fù)載大小自己設(shè)定。   限流起動(dòng)可以使大慣性負(fù)載以最小電流被起動(dòng)加速,可以用來設(shè)置電流上限,滿足電網(wǎng)容量在有限場合的使用。這種起動(dòng)方式特別適合于恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載。   3、軟停車   如圖4,與直接停車相比,就是加到電機(jī)上的電壓不是立即降下來的,而是由最高電壓逐漸下降,經(jīng)時(shí)一段時(shí)間Tp,最后降為0V。其中,下降時(shí)間Tp用戶設(shè)定,范圍是0-90秒。   這種軟停車可以大大減少管道設(shè)備中液體的沖擊。   4、節(jié)能運(yùn)行   對于大磨擦負(fù)載,由于所需起動(dòng)電流大,需要功率較大的電動(dòng)機(jī),而正常負(fù)載所需運(yùn)行負(fù)載力矩比電動(dòng)機(jī)額定轉(zhuǎn)矩小的多,這就造成電動(dòng)機(jī)輕載運(yùn)行。對于間隙性負(fù)載,維持大電流的工作時(shí)間占整個(gè)周期很小一部分,造成輕載有功損耗浪費(fèi),使運(yùn)行功率因數(shù)大大降低。智能電機(jī)控制模塊自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出電壓,使電機(jī)工作在最佳效率工作區(qū),達(dá)到節(jié)能目的。   5、保護(hù)功能   共有三種保護(hù)功能:過流保護(hù),過熱保護(hù),缺相保護(hù)。   在起動(dòng)或者運(yùn)行過程中如果出現(xiàn)上述三種故障之一,模塊會自動(dòng)切斷電機(jī),控制板上的數(shù)碼管會閃爍顯示故障原因,待排除故障以后,按復(fù)位鍵即可恢復(fù)正常。 圖3 圖4   四、實(shí)驗(yàn)情況及實(shí)際應(yīng)用介紹   我們對一只正在使用中的智能電機(jī)控制模塊進(jìn)行了實(shí)際測量并作了記錄。   所用負(fù)載為18.5KW風(fēng)機(jī),電壓實(shí)際測量值為390V左右。   為了作一個(gè)比較,首先拆掉模塊進(jìn)行直接起動(dòng)。   合上空氣開關(guān)以后,電壓立即上升到390V,電流快速上升到150A,持續(xù)一段時(shí)間,逐漸下降,最后穩(wěn)定在30A左右。同時(shí),可清楚地聽到由于大電流沖擊,風(fēng)機(jī)產(chǎn)生強(qiáng)烈的機(jī)械振動(dòng)所發(fā)出的聲音。   然后接上電機(jī)軟起動(dòng)控制模塊,設(shè)置為限流方式起動(dòng),限流值為90A,打開節(jié)能運(yùn)行。   按下“起動(dòng)”鍵,可觀測到電流上升速度明顯變慢,逐漸上升到90A,保持2~3秒后,逐漸下降為30A。電壓由0V緩慢上升到390V。起動(dòng)時(shí)間為6秒。在整個(gè)起動(dòng)過程中,電機(jī)起動(dòng)平穩(wěn),聽不到機(jī)械沖擊的聲音。   15秒后,電壓逐漸下降為355V,電流不變,開始穩(wěn)定運(yùn)行。   智能電機(jī)控制模塊可廣泛應(yīng)用于各工業(yè)領(lǐng)域,其功能適用領(lǐng)域如下:   1、降低電動(dòng)機(jī)起動(dòng)電流(一般交流電動(dòng)機(jī)直接起動(dòng)時(shí),沖擊電流是額定電流的5-7倍);   2、避免電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)供電線路產(chǎn)生瞬間電壓跌落,造成設(shè)備、儀表誤動(dòng)作;   3、防止起動(dòng)時(shí)產(chǎn)生力矩沖擊,而使機(jī)械斷軸或產(chǎn)生廢品;   4、可以較頻繁地起動(dòng)電動(dòng)機(jī)(軟起動(dòng)裝置一般允許10次/小時(shí),而使電動(dòng)機(jī)不致過熱);   5、對泵類負(fù)載可以防止水錘效應(yīng),防止管道破裂;   6、對某些工藝應(yīng)用(如染紗機(jī)械),可防止由于起動(dòng)過快而產(chǎn)生染色不勻造成質(zhì)量問題;   7、對某些易碎的容器灌漿生產(chǎn)線,可防止容器破損;   8、需要控制起動(dòng)電流,減少對機(jī)械的沖擊,同時(shí)也可適應(yīng)較低容量供電變壓器的場合(如注塑機(jī));   9、可以降低電網(wǎng)適配容量,節(jié)省增容費(fèi)開支;   10、需要方便地調(diào)節(jié)起動(dòng)特性的場合。

2013
05-27

晶閘管恒流恒壓模塊模塊的特點(diǎn)及應(yīng)用

  1. 前言   現(xiàn)代化工業(yè)生產(chǎn)中,晶閘管以其成熟的技術(shù)、大電流高電壓等特點(diǎn)獲得了廣泛的應(yīng)用。在晶閘管組成的自動(dòng)控制系統(tǒng)中,有許多是采用電流閉環(huán)控制的恒流和電壓閉環(huán)控制的恒壓應(yīng)用。但是,目前大多數(shù)恒流恒壓的晶閘管裝置和產(chǎn)品受傳感器和控制電路的制約,體積龐大,電路復(fù)雜,難于調(diào)試,控制精度低。并且由于采用了分流器和分壓器進(jìn)行取樣,無隔離措施,控制電路的電磁干擾大,難以與計(jì)算機(jī)接口應(yīng)用。使晶閘管恒流恒壓設(shè)備的應(yīng)用處于較困難狀態(tài)。而采用晶閘管的恒流恒壓設(shè)備又因其大范圍的恒壓(0~幾百伏)、恒流(0~幾百安培)的特點(diǎn)有很大的應(yīng)用空間。我公司生產(chǎn)的恒流恒壓智能模塊很好的解決了這一應(yīng)用與制造上的矛盾。   與傳統(tǒng)的恒流恒壓設(shè)備相比,恒流恒壓智能模塊由于采用了線性霍爾傳感器、高精度的控制電路及模塊化的生產(chǎn)技術(shù),具有控制電路與強(qiáng)電完全隔離、控制精度高、體積小及使用方便等特點(diǎn),必將獲得大量的應(yīng)用。   2. 工作原理   (1)主工作電路   恒流恒壓智能模塊(整流)的主電路見圖1,它是一個(gè)由六只晶閘管構(gòu)成的三相全控整流橋,通過控制電路改變其導(dǎo)通角可獲得0-50V的直流電壓。 圖1 圖2   控制系統(tǒng)工作原理圖如圖2   (1) 霍爾傳感器的采用   霍爾效應(yīng)式傳感器是一種新型電流、電壓采樣器件,它的工作原理是利用霍爾元件在磁場中產(chǎn)生感應(yīng)電壓的霍爾效應(yīng),將電流、電壓轉(zhuǎn)換為電壓信號。霍爾傳感器的優(yōu)點(diǎn)為轉(zhuǎn)換系數(shù)高,有電氣隔離作用,響應(yīng)速度快,線性度較好,對提高整機(jī)性能有很大好處。   2.控制系統(tǒng)特點(diǎn)   (1)采用線性霍爾傳感器,實(shí)現(xiàn)電氣隔離,提高了整機(jī)性能,使設(shè)定電壓(0-10V)與輸出電壓與電流成較好的線性對應(yīng)關(guān)系,克服了晶閘管移相角度與輸出電壓非線性的缺點(diǎn)。   (2)電壓反饋與電流反饋采用兩套獨(dú)立電路,互不影響,并且可通過外加電平實(shí)現(xiàn)自動(dòng)轉(zhuǎn)換。   (3)多種保護(hù)功能,使用更加安全方便。   (4)采用數(shù)字移相控制電路使觸發(fā)更為準(zhǔn)確可靠。   3. 恒流恒壓智能模塊的主要技術(shù)參數(shù)和功能   由于采用高精度的霍爾傳感器和精密放大電路,模塊化的產(chǎn)品縮短了控制電路與移相電路、主電路的信號傳輸距離,干擾小等特點(diǎn),從而使恒流恒壓模塊的控制精度較高,比其他同功能產(chǎn)品有更大的優(yōu)越性。   (1)較高控制精度在晶閘管控制曲線上線性度較好的范圍內(nèi)(恒壓在100V-350V,恒流約在35%-75%I(最大設(shè)定電流)),穩(wěn)壓精度在0.5%,穩(wěn)流精度在1%之內(nèi),在線性度較差的范圍內(nèi),穩(wěn)壓精度不大于1%,穩(wěn)流精度不大于2%。   (2)電網(wǎng)調(diào)整率:電網(wǎng)變化±20%,輸出變化(調(diào)整范圍內(nèi))不大于±1%。   (3)高線性對應(yīng)關(guān)系,0-10V設(shè)定與輸出電流(壓)成較好線性關(guān)系,非線性度不大于5%。   除恒流恒壓功能外,模塊還具有如下功能:   多種保護(hù)功能,過流、過熱、缺相保護(hù)三種保護(hù)功能使模塊應(yīng)用更為安全。   采樣信號輸出,霍爾傳感器采樣信號輸出,可外接電流電壓顯示。   禁止恒流恒壓功能,如果對內(nèi)部恒流恒壓效果不滿意,可外接控制電路,直接采用傳感器采樣信號。   4 .恒流恒壓模塊的應(yīng)用場合   恒流恒壓智能模塊以其控制電路精度高,平衡性好,工作電壓范圍寬,抗電流沖擊性能好,安裝使用簡單,可靠性高,體積小,免維護(hù),有利于電源小型化等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)機(jī)、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁、直流屏(蓄電池充電)、激光電源、充磁設(shè)備、UPS電源等各種場合,在現(xiàn)代國外應(yīng)用較多的“懸浮迭加”式線性電源的應(yīng)用中更能體現(xiàn)該模塊的特點(diǎn)。   (1) 基本應(yīng)用原理圖(圖 3) 圖3 圖4 圖5   (2)交流恒流恒壓在電鍍電解中的應(yīng)用原理圖(圖 4)   (3)懸浮迭加式線性電源中的應(yīng)用(圖 5)   此裝置用于高精度大功率線性穩(wěn)壓電源,極大的降低了GTR的功耗,使效率和可靠性有很大提高,并可采用較小功率GTR,降低了成本。采用恒流恒壓模塊不僅提高了精度,并且使電源體積得以大幅縮小。

2013
05-27

晶閘管恒流恒壓控制模塊的使用技術(shù)解答

  恒流恒壓控制模塊   (1)模塊初次使用常見問題   模塊使用前可先進(jìn)行簡單功能測試,可以測試恒流功能,也可測試恒壓功能,但選用恒壓功能測試比較方便。以下幾點(diǎn)是初次使用常見問題,對您或許有指導(dǎo)意義。  ?、僬{(diào)整給定信號時(shí)模塊沒有電流或電壓輸出,但給定信號和外加±12V電源正常。   處理:你需要對模塊進(jìn)行復(fù)位。  ?、诤銐簯?yīng)用時(shí),用電壓表測輸出電壓不準(zhǔn)確或不連續(xù)。   原因:你的負(fù)載太小,換大于100w的負(fù)載。   ③恒流應(yīng)用時(shí),給定信號很小,模塊即全電壓輸出。   處理:你需要工作在較大電流下,比如20A。   ④模塊的恒流精度或恒壓精度達(dá)不到規(guī)定指標(biāo)。   原因:電源指標(biāo)達(dá)不到要求或給定信號不穩(wěn)定。  ?、莺懔骱銐汗δ苣芊裢瑫r(shí)使用?   答案:不能,只能單獨(dú)工作在恒流或者恒壓某一方式,或按順序進(jìn)行切換。  ?、弈K能否在任何輸出電壓下都能達(dá)到最大標(biāo)稱電流值?   答案:不能,模塊的標(biāo)稱電流為全電壓輸出時(shí)最大輸出電流,具體能輸出多大電流還取決于輸出電壓的高低和穩(wěn)定精度等指標(biāo)。  ?、吣K最佳工作區(qū)間如何選取?   答案:模塊應(yīng)用在20%-60%標(biāo)稱值最佳;小于20%或大于70%時(shí)效果較差。  ?、嚯姵爻潆姂?yīng)用時(shí),如何對電池放電?   方法1:把模塊正負(fù)輸出極性調(diào)整成與充電時(shí)相反。   方法2:模塊輸出正極接一電感,模塊極性同充電時(shí)一樣,先把模塊電壓調(diào)到高于電池組,然后緩慢把模塊輸出電壓降至電池放電電壓值,用逆變方法完成電池的放電。該方法適于專業(yè)用戶使用。  ?、崮K用于電感負(fù)載時(shí)指標(biāo)下降。   原因:模塊的電壓、電流傳感器處理電路對感應(yīng)的信號電壓處理方式同普通儀表可能不同。晶閘管在換向時(shí)會產(chǎn)生反問尖脈沖,模塊處理電路會把尖脈沖抑制掉;而普通儀表則對該尖峰照常處理,所以它屬于正?,F(xiàn)象,而非指標(biāo)下降。  ?、馊绾螌ふ疑崞鳒囟葴y試點(diǎn)?   方法:測試點(diǎn)選擇靠近模塊中心點(diǎn)、緊貼模塊外殼的散熱器表面處。   (2) 電流選取規(guī)則  ?、倌K電流的選取   模塊的標(biāo)稱電流為模塊正常工作允許流過的最大電流,考慮到晶閘管抗電流沖擊能力餃差,選取模塊時(shí)建議您應(yīng)留出裕量。   阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍:   ②導(dǎo)通角要求:   在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值不是有效值,儀表顯示較小的電流值就有可能超過模塊額定值的幾倍,因此,要求模塊盡量工作在較大導(dǎo)通角下(100度以上)。模塊在較小導(dǎo)通角(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)下輸出較大電流,這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱而燒毀。

2013
05-27

電力電子模塊用關(guān)鍵絕緣材料

  在電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展中,隨著集成度的提高,體積減小,使得單位散熱面積上的功耗增加,散熱成為模塊制造中的一個(gè)關(guān)鍵問題,而傳統(tǒng)的模塊結(jié)構(gòu)(焊接式和壓接式)已無法成功地解決散熱問題。因此對處于散熱底板和芯片之間的導(dǎo)熱絕緣材料提出了新要求。目前,國內(nèi)外電力電子行業(yè)所用此種材料一般是陶瓷-金屬復(fù)合板結(jié)構(gòu),簡稱DBC板(Dircet Bonding Copper)。   所謂DBC技術(shù),是指將銅在高溫下直接鍵合到陶瓷材料上的技術(shù)。DBC板主要是采用Al2O3、AIN、BeO等導(dǎo)熱絕緣陶瓷基片。由于BeO含有毒性,工業(yè)上少有利用。AIN雖然導(dǎo)熱性能良好,且熱膨脹系數(shù)與硅相近,但價(jià)格太高,因此目前Al2O3已被廣泛用作DBC板的導(dǎo)熱絕緣基片,而AIN也處于發(fā)展之中。   目前國外DBC基板已投入工業(yè)化生產(chǎn),并廣泛用于電力半導(dǎo)體模塊、微波傳送和密封等領(lǐng)域。在相同功率的電力半導(dǎo)體中,DBC板的焊接式模塊,與普通焊接式模塊相比,不僅體積小,重量輕,省部件,并且具有更好的熱疲勞穩(wěn)定性和更高的集成度。國內(nèi)這方面的研究剛剛起步,尚未形成工業(yè)化生產(chǎn)。西安交通大學(xué)電氣絕緣研究所結(jié)合GTR模塊封裝結(jié)構(gòu)的"八五"攻關(guān)任務(wù),采用DBC技術(shù)研制出Al2O3-Cu復(fù)合板,并提供給西安電力電子技術(shù)研究所,北京電力電子新技術(shù)研究開發(fā)中心等單位試用。目前已形成實(shí)驗(yàn)室小批量生產(chǎn)。市場前景可觀。   DBC基板在功率模塊中所起的作用如下:   1)作為硅芯片的承載體,并且二者之間無其它任何材料和連接線。電路布線基板,功能近似于PCB板。   2)絕緣性能好,把導(dǎo)電部件和散熱部件隔離開。   3)散熱性能好,把硅芯片產(chǎn)生的熱量通過導(dǎo)熱機(jī)油傳輸?shù)缴嵫b置。   因此說DBC基板是導(dǎo)熱性能和絕緣性能都很優(yōu)良的基板。   Al2O3-Cu基板具有如下的優(yōu)良特性:   1)熱阻抗小,且熱膨脹系數(shù)同Al2O3,與硅相近(7.4×10-5K-1),使用中不要過渡層,硅芯片可直接焊接在DBC基板上;   2)具有良好的機(jī)械性能,附著力>5000N/cm2,抗剝力>90N/cm;   3)耐腐蝕、不形變,可在-55℃~+860℃溫度范圍內(nèi)使用;   4)極好的電絕緣性能,瓷板耐壓>2.5KV;   5)良好的導(dǎo)熱性,熱導(dǎo)率為24~28W/m·K;   6)焊接性良好,達(dá)到95%以上。   DBC板將是未來電子線路中結(jié)構(gòu)和連接技術(shù)的基礎(chǔ)材料。在傳統(tǒng)有機(jī)覆銅P.C.板不能滿足元件熱沖擊性能的時(shí)候,DBC板將用于具有高耗散功率電子組件的基本材料。在使用中,由于較厚的銅層(0.3mm)能承受更高的電流負(fù)載,在相同截面下,僅需通常P.C.板12%的導(dǎo)體寬度;良好的熱電率,使功率芯片的密集安裝成為可能。在單位體積內(nèi)能傳輸更大的功率,提高系統(tǒng)和設(shè)備的可靠性。在電力電子如下相關(guān)領(lǐng)域可得廣泛應(yīng)用:   (1)功率半導(dǎo)體器件,如IGBT、GTR、SIT等;   (2)功率控制線路;   (3)混合功率線路及新式功率結(jié)構(gòu)單元;   (4)固態(tài)繼電器及高頻開關(guān)模塊電源;   (5)電子加熱器件的溫度控制單元;   (6)變頻器、電機(jī)調(diào)速、交流無觸點(diǎn)開關(guān);   (7)電子陶瓷器件,經(jīng)我所研究表明,采用DBC技術(shù)制作BaTiO3的燒銅電極,與普通的燒銀電極以及鍍銅電極相比,接觸電阻小,性能優(yōu)越;   (8)汽車電子、航空航天軍事技術(shù)等方面的結(jié)構(gòu)單元。 DBC技術(shù)是未來"芯-板"技術(shù)的基礎(chǔ),代表著今后封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢,隨著DBC板的應(yīng)用,就向未來的"芯-板"技術(shù)邁進(jìn)了一步,同時(shí)也形成了創(chuàng)造性產(chǎn)品思想和具有高集成度設(shè)備設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。   目前,隨著GTR、IGBT、SIT等新型器件的發(fā)展,對導(dǎo)熱更好的DBC板又提出了要求,日本已研制出了AIN覆銅板,并用于IGBT的封裝中。我國已研制出AIN陶瓷基片,我所已開展了AIN覆銅板的研制工作,并正在進(jìn)行鍵合機(jī)理及工藝過程的研究,預(yù)計(jì)在"九五"期間,將會在國內(nèi)電力半導(dǎo)體行業(yè)中得到應(yīng)用。

2013
05-27

電力半導(dǎo)體模塊發(fā)展新趨勢

  一種新型器件的誕生往往使整個(gè)裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀,促進(jìn)電力電子技術(shù)向前發(fā)展。自1957年第一個(gè)晶閘管問世以來,經(jīng)過40多年的開發(fā)和研究,已推出可關(guān)斷晶閘管(GTO),絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導(dǎo)體器件,目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的方向發(fā)展,本文將簡要介紹模塊化發(fā)展趨勢。   所謂模塊,最初定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定電路聯(lián)成,用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護(hù)材料,密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi),并與導(dǎo)熱底板絕緣而成。自上世紀(jì)70年代Semikron Nurmbeg把模塊原理(當(dāng)時(shí)僅限于晶閘管和整流二極管)引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域以來,因此模塊化就受到世界各國電力半導(dǎo)體公司的重視,開發(fā)和生產(chǎn)出各種內(nèi)部電聯(lián)接形式的電力半導(dǎo)體模塊,如晶閘管、整流二極管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、光控晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管(GTR)、MOS可控晶閘管(MCT)、電力MOSFET以及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等模塊,使模塊技術(shù)得到蓬勃發(fā)展,在器件中所占比例越來越大。   據(jù)美國在上世紀(jì)90年代初統(tǒng)計(jì),在過去十幾年內(nèi),300A以下的分立晶閘管、整流二極管以及20A以上達(dá)林頓晶體管市場占有量已由90%降到20%,而上述器件的模塊卻由10%上升到80%,可見模塊發(fā)展之快。   隨著MOS結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件研發(fā)的成功,亦即用電壓控制、驅(qū)動(dòng)功率小、控制簡單的IGBT、電力MOSFET、MOS控制晶閘管(MCT)和MOC控制整流管(MCD)的出現(xiàn),開發(fā)出把器件芯片與控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護(hù)電路以及自診斷電路組合,并密封在同一絕緣外殼內(nèi)的智能化電力半導(dǎo)體模塊,即IPM。   為了更進(jìn)一步提高系統(tǒng)的可靠性,適應(yīng)電力電子技術(shù)向高頻化、小型化、模塊化發(fā)展方向,有些制造商在IPM的基礎(chǔ)上,增加一些逆變器的功能,將逆變器電路(IC)的所有器件都以芯片形式封裝在一個(gè)模塊內(nèi),成為用戶專用電力模塊(ASPM),使之不再有傳統(tǒng)引線相連,而內(nèi)部連線采用超聲焊、熱壓焊或壓接方式相連,使寄生電感降到最小,有利于裝置高頻化。一臺7.5KW的電機(jī)變頻裝置,其中ASPM只有600×400×250(mm)那么大,而可喜的是,這種用戶專用電力模塊可按應(yīng)用電路的不同而進(jìn)行二次設(shè)計(jì),有很大的應(yīng)用靈活性。但在技術(shù)上要把邏輯電平為幾伏、幾毫安的集成電路IC與幾百安、幾千伏的電力半導(dǎo)體器件集成在同一芯片上是非常困難的。雖然目前已有1.5KW以下的ASPM出售,但要做大功率的ASPM,還需要解決一系列的問題,因此迫使人們采用混合封裝形式來制造適用于各種場合的集成電力電子模塊(IPEM),IPEM為新世紀(jì)電力電子技術(shù)的發(fā)展開了新途徑。   智能晶閘管模塊   晶閘管和整流二極管模塊主要指各種電聯(lián)接的橋臂模塊和單相整流橋模塊,晶閘管模塊經(jīng)過近30年的開發(fā)和生產(chǎn),目前制造這種系列模塊的技術(shù)已相當(dāng)成熟,生產(chǎn)成品率也相當(dāng)高,使用亦很普遍和成熟,已成為電力調(diào)控的重要器件,因此這里不再介紹。   晶閘管智能模塊就是ITPM(Intelligent thyristor power module)把晶閘管主電路與移相觸發(fā)系統(tǒng)以及過電流、過電壓保護(hù)傳感器共同封閉在一個(gè)塑料外殼內(nèi)制成。由于晶閘管是電流控制型電力半導(dǎo)體器件,所以需要較大的脈沖觸發(fā)功率才能驅(qū)動(dòng)晶閘管,又加其它一些輔助電路的元器件,如同步電流的同步變壓器等體積龐大,很難使移相觸發(fā)系統(tǒng)與晶閘管主電路以及傳感器等封裝在同一外殼內(nèi)制成晶閘管智能模塊。因此,世界上一直沒有擺脫將晶閘管器件與門極觸發(fā)系統(tǒng)分立制作的傳統(tǒng)形式。   山東淄博臨淄銀河高技術(shù)開發(fā)有限公司,經(jīng)多年的開發(fā)研究,解決了同步元器件微型化問題,使之適合集成應(yīng)用之后,繼而解決了提高信號幅度、抗干擾、高壓隔離和同步信號輸入等問題,并研制開發(fā)出高密度的功率脈沖變壓器和多路高速大電流IC,以及兩種適合集成模塊專用IC。在采用了導(dǎo)熱、絕緣性能良好的DCB板、鉬銅板,具有良好電絕緣和保護(hù)性能和良好熱傳導(dǎo)作用的彈性硅凝膠等特殊材料后,開發(fā)出多種具有各種功能的晶閘管智能模塊,如三相、單相集成移相調(diào)控晶閘管智能交流開關(guān)模塊,帶過零觸發(fā)電路的三相、單相交流開關(guān)模塊等。   圖1為晶閘管智能三相橋模塊的內(nèi)部接線圖(a)及其它外形照片(b),還有晶閘管智能電機(jī)控制模塊,解決了一直未能實(shí)現(xiàn)的晶閘管主電路與移相觸發(fā)系統(tǒng)以及保護(hù)取樣傳感器共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi)的難題。臨淄銀河公司研制出模塊最大工作線電流為1600A(RMS),額定工作電壓為380V和600V,已用于交流變頻、交直流電氣傳動(dòng)以及三相交流固態(tài)開關(guān)和恒壓、恒流電源等領(lǐng)域。 圖1   IGBT智能模塊   上世紀(jì)80年代初,IGBT器件的研制成功以及隨后其額定參數(shù)的不斷提高和改進(jìn),為高頻、較大功率應(yīng)用范圍的發(fā)展起到了重要作用,由于IGBT模塊具有電壓型驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度高,飽和壓降低和可耐高電壓和大電流等一系列應(yīng)用上的優(yōu)點(diǎn),表現(xiàn)出很好的綜合性能,已成為當(dāng)前在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的電力半導(dǎo)體器件。其硬開關(guān)頻率達(dá)25KHz,軟開關(guān)頻率可達(dá)100KHz。而新研制成的霹靂型(Thunderbolt)型IGBT,其硬開關(guān)頻率可達(dá)150KHz,諧振逆變軟開關(guān)電路中可達(dá)300KHz。   目前,IGBT封裝形式主要有塑料單管和底板與各主電路相互絕緣的模塊形式,大功率IGBT模塊亦有平板壓接形式。由于模塊封閉形式對設(shè)計(jì)散熱器極為方便,因此,各大器件公司廣泛采用。另一方面,IGBT模塊生產(chǎn)工藝復(fù)雜,制造過程中要做十幾次精細(xì)的光刻套刻,并經(jīng)相應(yīng)次數(shù)的高溫加工,因此要制造大面積即大電流的IGBT單片,其成品率將大大降低。可是,IGBT的MOS特性,使其更易并聯(lián),所以模塊封裝形式更適合于制造大電流IGBT。起初由于IGBT要用高阻外延片技術(shù),電壓很難突破,因?yàn)橐圃爝@樣高壓的IGBT,外延厚度就要超過微米,這在技術(shù)上很難,且?guī)缀醪荒軐?shí)用化。   1996年日本多家公司采用<110>晶面的高阻硅單晶制造IGBT器件,硅片厚度超過300微米,使單片機(jī)IGBT的耐壓超過2.5KV,因此,同年東芝公司推出的1000A/2500V平板壓接式IGBT器件就是由24個(gè)80A/2500V的芯并聯(lián)組成。   1998年ABB公司采用在陽極側(cè)透明(Transparent)P+發(fā)射層和N-層緩沖層結(jié)構(gòu),使IGBT模塊的耐壓高達(dá)4.5KV,而該公司同年研發(fā)成的1200A/3300V的IGBT模塊就是由20個(gè)IGBT芯片和12個(gè)FWD芯片并聯(lián)制成。此后,非穿通(NPT)和軟穿通(SPT)結(jié)構(gòu)IGBT的試制成功,使IGBT器件具有正電阻溫度系數(shù),更易于并聯(lián),這為高電壓、大電流IGBT模塊的制造只需并聯(lián)無需串聯(lián)創(chuàng)造了技術(shù)基礎(chǔ)。目前,已能批量生產(chǎn)一單元、二單元、四單元、六單元和七單元的IGBT標(biāo)準(zhǔn)型模塊,其最高水平已達(dá)1800A/4500V。圖2為300A/1700V IGBT模塊的電路圖,它是由4個(gè)160A/1700V IGBT芯片和8個(gè)100A/1700V快恢復(fù)二極管組成。 圖2 圖3   但是隨著模塊頻率的提高和功率的增大,內(nèi)部寄生電感較大的一般IGBT模塊結(jié)構(gòu),已不能適應(yīng)應(yīng)用的需要。為了降低模塊內(nèi)部的裝配寄生電感,使器件在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的過電壓最小,以適應(yīng)調(diào)頻大功率IGBT模塊封裝的需要,ABB公司開發(fā)出一種如圖3所示的平面式低電感模塊(ELIP)的新結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)與一般傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于:(1)它采用很多寬而簿的銅片重疊形成發(fā)射極端子和集電極端子,安裝時(shí)與模塊銅底板平行,并采用等長平行導(dǎo)線直接從IGBT發(fā)射極連到發(fā)射極端子上,而集電極端子則連到DBC板空間位置上,從而消除了互感,限制了鄰近效應(yīng),降低了內(nèi)部寄生電感量;(2)許多并聯(lián)的IGBT和FWD芯片都焊在無圖形的DBC板上,且IGBT的發(fā)射極和FWD的陽極上焊有鉬緩沖片,IGBT的柵極與柵極均流電阻鋁絲鍵合相連,這樣使芯片間的電流分布和整流電壓條件一致,有利于模塊芯片能在相同溫度下工作,大大提高了模塊出力和可靠性;(3)模塊采用堆積式設(shè)計(jì),把上下絕緣層、上下電極端子以及印制電路板相互疊放,并用粘合膠粘合在一起(粘合時(shí)要避免氣泡),能很好地隨溫度循環(huán),無需考慮所謂焊應(yīng)應(yīng)力,即所謂的電極“S”形設(shè)計(jì)。   由于MOS結(jié)構(gòu)的IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)的,因此驅(qū)動(dòng)功率小,并可用IC來實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)和控制,進(jìn)而發(fā)展到把IGBT芯片、快速二極管芯片、控制和驅(qū)動(dòng)電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護(hù)電路、箝位電路以及自診斷電路等封裝在同一絕緣外殼內(nèi)的智能化IGBT模塊(IPM),它為電力電子逆變器的高頻化、小型化、高可靠性和高性能創(chuàng)造了器件基礎(chǔ),亦使整機(jī)設(shè)計(jì)更簡化,整機(jī)的設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造成本降低,縮短整機(jī)產(chǎn)品的上市時(shí)間。由于IPM均采用標(biāo)準(zhǔn)化的具有邏輯電平的柵控接口,使IPM能很方便與控制電路板連接。IPM在故障情況下的自保護(hù)能力,降低了器件在開發(fā)和使用的損壞,大大提高了整機(jī)的可靠性。

2013
05-27

雙閉環(huán)直流調(diào)速模塊的原理及應(yīng)用

  一、前言:   晶閘管直流傳動(dòng)70年代前后在我國得到大力的推廣和應(yīng)用,經(jīng)過30多年的發(fā)展歷史,還停留在分立器件的基礎(chǔ)上,體積大,接線復(fù)雜,使用極不方便而且價(jià)格昂貴。我公司開發(fā)的雙閉環(huán)直流調(diào)速模塊,本著集成和使用方便的原則將直流調(diào)速系統(tǒng)模塊化。先進(jìn)的工藝流程和高性能的電路設(shè)計(jì)大大提高了模塊的使用壽命和可靠性,而且性價(jià)比很高,為直流調(diào)速領(lǐng)域增添了新的活力。   二、模塊內(nèi)部的電路構(gòu)成   本模塊內(nèi)含功率晶閘管、移相控制電路、轉(zhuǎn)速電流雙閉環(huán)調(diào)速電路、積分電路、電流反饋電路、以及缺相和過流保護(hù)電路,其方框圖見圖1。 圖1 圖2   (一)功率晶閘管完成變流及功率調(diào)整,采用進(jìn)口方形芯片、高級芯片支撐板,經(jīng)特殊燒結(jié)工藝,保證焊接層無空洞,使用DCB板及其它高級導(dǎo)熱絕緣材料,導(dǎo)熱性能好,基板不帶電,使用安全可靠。熱循環(huán)次數(shù)超過國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍,具有很長的使用壽命。   (二)積分環(huán)節(jié)可實(shí)現(xiàn)直流電機(jī)軟起動(dòng),并且起動(dòng)時(shí)間可調(diào),設(shè)計(jì)時(shí)給用戶預(yù)留兩個(gè)端口,其連接如圖6,調(diào)節(jié)兩個(gè)電位器,可改變積分時(shí)間長短,從而達(dá)到改變電機(jī)起動(dòng)時(shí)間的目的。積分環(huán)節(jié)適用于起動(dòng)過渡過程平穩(wěn)的場合,如高爐卷揚(yáng)機(jī)、礦井提升機(jī)、冷熱連軋機(jī)等。當(dāng)輸入為階躍信號時(shí),通過給定積分器變換成有一定斜率的線性漸變輸出信號,作為速度調(diào)節(jié)器的給定輸入,給定積分器的穩(wěn)定輸出即為電機(jī)的速度給定,給定積分器輸出的變化斜率即為電機(jī)的加速度,其啟動(dòng)電流波形圖見圖2。如果用戶要求在負(fù)載一定的條件下,電機(jī)以最大的等加速度起動(dòng),可把積分環(huán)節(jié)去掉,模塊留出兩個(gè)端口作為電流環(huán)和速度環(huán)的輸出限幅(如圖6),調(diào)節(jié)電流環(huán)的輸出限幅,改變電機(jī)的最大起動(dòng)電流,獲得理想的過渡過程。其起動(dòng)電流波形圖見圖3。   (三)轉(zhuǎn)速電流雙閉環(huán)電路 速度調(diào)節(jié)及抗負(fù)載和電網(wǎng)擾動(dòng),采用雙PI調(diào)節(jié)器,可獲得良好的動(dòng)靜態(tài)效果。設(shè)計(jì)過程采用“二階最佳”參數(shù)設(shè)計(jì)法設(shè)計(jì),結(jié)合系統(tǒng)動(dòng)靜態(tài)效果選擇最佳參數(shù)。從抑制超調(diào)的觀點(diǎn)出發(fā),電流環(huán)校正成典型I型系統(tǒng)。為使系統(tǒng)在階躍擾動(dòng)時(shí)無穩(wěn)態(tài)誤差,并具有較好的抗擾性能,速度環(huán)設(shè)計(jì)成典型II型系統(tǒng)。   內(nèi)外環(huán)對數(shù)幅頻特性的比較,圖4畫出了電流環(huán)和轉(zhuǎn)速環(huán)的開環(huán)對數(shù)幅頻特性: 圖3 圖4   從上圖可以看出,圖中轉(zhuǎn)折頻率和截止頻率點(diǎn)一個(gè)比一個(gè)小,這是一個(gè)必然的規(guī)律。這樣設(shè)計(jì)的雙環(huán)系統(tǒng),外環(huán)總比內(nèi)環(huán)慢。一般來說,調(diào)整過程一般是先外環(huán)后內(nèi)環(huán),電流環(huán)要想提高系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)效果,可增大電流環(huán)阻容端的電阻,但要減小電容,其關(guān)系是C1*0.03/R1。速度環(huán)要想提高動(dòng)態(tài)效果,從典型II型系統(tǒng)的各項(xiàng)指標(biāo)中得出,它的動(dòng)態(tài)效果是一個(gè)中間的參數(shù),需要反復(fù)調(diào)試,增大電阻R2可提高系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)精度,相應(yīng)的減小電阻可獲得良好的動(dòng)態(tài)效果,具體情況可根據(jù)用戶的系統(tǒng)參數(shù)要求調(diào)節(jié),其關(guān)系是C2 0..87/R2(電流超調(diào)量<=5),模塊設(shè)計(jì)過程留出四個(gè)端口(其聯(lián)接如圖6),作為速度環(huán)和電流環(huán)的阻容端,用戶可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)節(jié)。   (四) 電流反饋 采用國外進(jìn)口霍爾傳感器,并置于模塊內(nèi)部。主要完成電流信號的取樣,具有極高的線性度,簡化了系統(tǒng)的外圍器件。   (五)保護(hù)電路 模塊內(nèi)部設(shè)置過流和缺相保護(hù)電路,保證了電機(jī)的安全運(yùn)行,而且留出一個(gè)端口作為過流保護(hù)給定信號輸入(其聯(lián)接如圖6),用戶可以根據(jù)自己設(shè)備的過載能力調(diào)節(jié),更加突出了本模塊的使用靈活性。   三、模塊的應(yīng)用   電流轉(zhuǎn)速雙閉環(huán)調(diào)速電路,因其具有極高的調(diào)速范圍、很好的動(dòng)靜態(tài)性能及抗擾性能,在調(diào)速領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。   本模塊以應(yīng)用到造紙、擠塑、印染及其他直流調(diào)速領(lǐng)域,效果很好。   實(shí)驗(yàn)條件:模塊為MSZ—ZLTS—400,直流電動(dòng)機(jī):Ued=220V,Ied=41A,Ned=1500r/min,允許過載倍數(shù)為1.5。   實(shí)驗(yàn)結(jié)果:速度超調(diào)量Vp<5%,電流超調(diào)量Ip<0.5%,調(diào)整時(shí)間Ts<0.5S,振蕩次數(shù)H<=2,轉(zhuǎn)速穩(wěn)定度Vb<=0.02,轉(zhuǎn)速穩(wěn)定度Vs<0.5%(如圖5) 圖5 圖6   四、結(jié)束語 本系統(tǒng)設(shè)計(jì)成模塊的形式:集成度高,體積小,接線方便,調(diào)節(jié)簡單,運(yùn)行安全可靠,并且具有通用性,即同一種模塊參數(shù)相同,使用非常方便。