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2013
05-27

模塊的保護(hù)-過壓保護(hù)

　　過壓保護(hù) 　　晶閘管的過電壓能力極差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以抑制晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。 　　(1)阻容吸收回路 　　晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時，和開關(guān)電路一樣，因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流.使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快.即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L (di/dt)值仍很大.這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5-6倍，所以必須采取抑制措施。 　　阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能抑制晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子.即引線要短。最好采用無感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。 　　接線方法如圖： 　　三相整流模塊 單相整流模塊 　　三相交流模塊 單相交流模塊 　　(2)壓敏電阻吸收過電壓 　　壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA)，是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30%的余量計(jì)算。 　　V1mA≥1.3√2·U 　　式中 U——壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。接線方法如圖： 　　三相模塊 單相模塊
2013
05-27

模塊的保護(hù)-過熱保護(hù)

　　散熱條件的好壞.是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。 　　在使用中，當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時，如室溫超付40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等.則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用，否則模塊會由于芯片結(jié)溫超過允許值而損壞。譬如，按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時.則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30-40%，反之如果改為采用水冷時.則電流的額定值可以增大30-40%。 　　散熱效果參考標(biāo)準(zhǔn)：使模塊的底板溫度不超過80℃：最簡單的方法可在散熱器表面靠近模塊處安裝75℃的溫度開關(guān)。 　　在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)： 　　(1)軸流風(fēng)機(jī)風(fēng)速應(yīng)≥6m/S。 　　(2)若模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作，可酌減散熱器長度。 　　(3)在設(shè)備開機(jī)前，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固，若有松動，應(yīng)擰緊螺釘，以使模塊底板與散熱器表面以及模塊電極與接線端子之間都能夠緊密接觸,達(dá)到最佳散熱效果。 　　(4)采用自然冷卻形式時，必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對流。 　　(5)因水冷散熱效果好.有水冷條件的，應(yīng)首選水冷散熱形式。